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半导体人必须知道的100个专业名词解释

本文摘要:1、Acetone丙酮丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,恒久接触会引起皮肤炎,吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、吐逆、眼花、意识不明等。

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1、Acetone丙酮丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,恒久接触会引起皮肤炎,吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、吐逆、眼花、意识不明等。允许浓度:1000ppmActiveArea主动区域MOS焦点区域,即源,汲,闸极区域2、AEI蚀刻后检查AEI即AfterEtchingInspection,在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后,划分对产物实施主检或抽样检查。AEI的目的有四:提高产物良率,制止不良品外流。

到达品质的一致性和制程的重复性。显示制程能力的指标。

防止异常扩大,节约成本通常AEI检查出来的不良品,非须要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。

生产成本增高,以及良率降低的缺点。3、Al-Cu-Si铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为Target,其成份为0.5%铜,1%硅及98.5%铝,一般制程通常是使用99%铝1%硅.厥后为了金属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移。

4、AlkalineIons碱金属雕子如Na+,K+,破坏氧化层完整性,增加泄电密度,减小少子寿命,引起移动电荷,影响器件稳定性。其主要泉源是:炉管的石英质料,制程气体及光阻等不纯物。5、Alloy合金半导体制程在蚀刻出金属连线后,必须增强Al与SiO2间interface的精密度,故举行Alloy步骤,以450℃作用30min,增加Al与Si的精密水平,防止Al层的剥落及淘汰欧姆接触的电阻值,使RC的值只管淘汰。

6、Aluminum铝一种金属元素,质地坚韧而轻,有延展性,容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线,但因其易引起spike及Electromigration,故实际中会在其中加入适量的Cu或Si。7、Anneal回火又称退火:也叫热处置惩罚,集成电路工艺中所有的在氮气等不生动气氛中举行的热处置惩罚历程都可以称为退火。激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,发生自由载流子,起到杂质的作用。

消除损伤:离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而发生的损毁区(进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置,致使晶体的特性改变)。而这种损毁区,经由回火的热处置惩罚后即可回复。这种热处置惩罚的回火功效可使用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功效。

氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷,降低SiO2的晶格结构。退火方式:炉退火快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、一连波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)8、Angstrom埃是一个长度单元,1?=10-10米,其巨细为1公尺的佰亿分之一,约人的头发宽度的伍拾万分之一。

此单元常用于IC制程上,表现膜层(如SiO2,POLY,SIN‥)厚度时用。9、Argon氩气氩气10、ArcChamber弧光反映室弧光反映室,事实上就是一个直流式的电浆发生器。

因为所操作的电流-对-电压的区域是在弧光电浆内。11、APM(Ammonia,hydrogen-PeroxideMixing)又称SC-1(StandardCleaningsolution-1)主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I.water,常用比率为1:1:6。能有效去处除无机颗粒,有机沉淀及若干金属玷污,去除颗粒能力随NH4OH增加而增加。

12、BackingPump辅抽泵在高真空系统中,要想很快建设我们所需的高真空,单纯靠高真空泵是不行的(因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下),所以我们在系统中加入一个辅抽泵(如油泵),先对系统建设初真空,再由高真空泵对系统建设高真空。13、Bake,Softbake,Hardbake烘培、软烤、预烤烘烤(Bake):在集成电路芯片的制造历程中,将芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。

随其目的差别,可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)。软烤(Softbake):其使用时机是在上完光阻后,主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除,而且可增加光阻与芯片的附着力。预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake),主要目的为去除水气,增加光阻附着性,尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要,预烤不完全常会造成过蚀刻。

14、BarrierLayer阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰(spiking)现象,并降低相互的接触电阻,在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体质料,常见的有Ti/TiN及TiW。15、BB:Bird'sBeak鸟嘴在用Si3N4作为掩膜制作fieldoxide时,在Si3N4笼罩区的边缘,由于氧或水气会透过PadOxideLayer扩散至Si-Substrate外貌而形成SiO2,因此Si3N4边缘向内会发生一个鸟嘴状的氧化层,即所谓的Bird'sBeak。其巨细与坡度可由改变Si3N4与PadOxide的厚度等到FieldOxidation的温度与厚度来控制。

16、Boat晶舟Boat原意是单木舟。在半导体IC制造历程中,常需要用一种工具作芯片传送及加工,这种承载芯片的工具,我们称之为Boat。一般Boat有两种材质,一是石英(Quartz),另一碳化硅(SiC)。

SiCBoat用在温度较高(Drivein)及LPSiN的场所。17、BOE(Buffer Oxide Etching)B.O.E.是HF与NH4F依差别比例混淆而成。6:1BOE蚀刻即表现HF:NH4F=l:6的成份混淆而成。

HF为主要的蚀刻液,NH4F则做为缓冲剂使用。使用NH4F牢固[H']的浓度,使之保持一定的蚀刻率。HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质,对皮肤有强烈的腐蚀性,不小心被溅到,应用大量冲洗。18、BoundaryLayer界限层假设流体在芯片外貌流速为零,则流体在层流区及芯片外貌将有一个流速梯度存在,称为界限层(BoundaryLayer)19、BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)BPSG:为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度,而且P吸附一些杂质离子,流动性比力好,作为ILD的平坦化介质。

20、BreakdownVoltage瓦解电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线,因为只有在加正向电压时才导通,但倘使施加的反向电压太高且凌驾一特定临界值时,反向电流将急剧上升,这个现象称为电瓦解。而使瓦解现象发生的临界电压称为瓦解电压,如图中的VBD。21、BufferLayer缓冲层通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而发生的应力作用。

我们制程最常见的缓冲层即SiO2,它用来缓冲SiN4与Si直接接触发生的应力,从而提升Si3N4对Si外貌附着能力。22、C1cleanClean的一种制程,它包罗DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2Omixed)---HPM(HCl-H2O2-H2Omixed)23、Burnin预烧试验「预烧」(Burnin)为可靠性测试的一种,旨在磨练出那些在使用初期即损坏的产物,而在出货前予以剔除。

预烧试验的作法,乃是将组件(产物)置于高温的情况下,加上指定的正向或反向的直流电压,如此残留在晶粒上氧化层与金属层的外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式(FailureMode)提早显现出来,到达筛选、剔除「早期夭折」产物的目的。预烧试验分为「静态预烧」(StaticBurnin)与「动态预烧」(DynamicBurnin)两种,前者在试验时,只在组件上加上额定的事情电压及消耗额定的功率。尔后者除此外并有仿真实际事情情况的讯号输入,故较靠近实际况,也较严格。

基本上,每一批产物在出货前,皆须作百分之百的预烧试验,但由于成本及交货期等因素,有些产物就只作抽样(部门)的预烧试验,通事后才货。另外,对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产物,亦可以抽样的方式举行。固然,具有高信赖度的产物,皆须通过百分之百的预烧试验24、CarrierGas载气用以携带一定制程反映物(液体或气体)进反映室的气体,例如用N2携带液态TEOS进炉管,N2即可称为载气。

25、Chamber真空室,反映室专指一密闭的空间,而有特殊的用途、诸如抽真空,气体反映或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在情况加以控制;例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等到达最佳的反映条件。26、Channel通道;缝道当在MOS的闸极加上电压(PMOS为负,NMOS为正)。

则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排挤而使闸极下的区域形成一反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type酿成N-typeSi,N-type酿成p-typeSi,而与源极和汲极成同type,故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为"通道"。信道的长度"ChannelLength"对MOS组件的。

参数有着极重要的影响,故我们对POLYCD的控制需要很是审慎。27、通道阻绝植入在集成电路中,各电晶体相互间则以场氧化层(FOX)加以隔离的,因为场氧化层上方常有金属导线通过,为了防止金属层,场氧化层,底材硅发生类似NMOS的电容效应,场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层,以防止类似NMOS的反转层在场氧化层下发生,而破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为"ChannelStop",这层掺质是以离子植入(Implantation)的方式完成的,所以称为通道阻绝植入。

28、化学机械研磨法随着用以隔离之用的场氧化层(FOX),CMOS电晶体,金属层及介电层等组成IC的各个结构在芯片上建设之后,芯片的外貌也将随之变得上下凸凹不平坦,致使后续制程变得越发难题。而传统半导体制程用以执行芯片外貌平坦化的技术,以介电层SiO2的平坦为例,计有高温热流法、种种回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推进到0.35以下后,以上这些技术已不能满足制程需求,故而也就发生了CMP制程。所谓CPM就是使用在外貌充满研磨颗粒的研磨垫(polishingpad),对凸凹不平的晶体外貌,藉由化学助剂(reagent)的辅助,以化学反映和机械式研磨等双重的加工行动,来举行其外貌平坦化的处置惩罚。

29、电荷陷入无特定漫衍位置,主要是因为MOS操作时发生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。可以通过适当的回火来降低其浓度。30、化学气相沉积到场反映的气体从反映器的主气流里藉着反映气体在主气流及芯片外貌的浓度差,以扩散的方式经由界限层通报到芯片的外貌。

反映物在外貌相会后藉着芯片外貌提供的能量,沉积反映发生。反映完成后,反映的副产物及未到场反映的反映气体从芯片外貌吸解并进入界限层,最后进入主气流并被抽气装置抽离。

化学气相沉积的五个主要的步骤。反映物以扩散通过界面界限层 反映物吸附在晶片外貌化学沉积反映发生 Byproduct及部门生成物以扩散通过界面界限层Byproduct及部门生成物与未反映物进入主气流里,并脱离系统31、晶粒一片芯片(OR晶圆,即Wafer)上有许多相同的方形小单元,这些小单元即称为晶粒。

同一芯片上的每个晶粒都是相同的结构,具有相同的功效,每个晶粒经包装后,可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC,故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地,如果因制造的疏忽而发生的缺点,往住就会波及成百成千个产物。32、清洁室又称无尘室。

半导体加工的情况是高净化空间,恒温恒湿,对微粒要求很是高。常用class表现品级(class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗)。33、CMOS金属氧化膜半导体(MOS,Metal-OxideSemicoductor)其制造法式及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜,再沉积一层复晶硅(或金属)做为闸极,使用加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。根据导电载子的种类,MOS又可分成两种类型:NMOS(由电子导电)和PMOS(由电洞导电)。

而互补式金氧半导体(CMOS,ComplementaryMOS)则是由NMOS及PMOS组合而成,具有省电,抗噪声能力强、α一Particle免役力好等许多优点,是超大规模集成电路(VLSI)的主流。34、CDA压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气,作为控气动阀的领气阀的气体源。35、挤压应力36、Compressor压缩机将空气压缩形成高压气体的设备。37、恒定源通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源扩散):ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope)这个扩散模式,是假设离子在界面上所具备的浓度,并不随扩散的举行而改变。

且一直为一个定值所建设。换句话说,不管离子的扩散连续多久,离子在界面上的浓度将维持在一个定值下。

Constant-Total-DopantDiffusion(限定源扩散):Afixedamountofdopantisdepositedintothesemiconductorsurfaceinthinlayer,andthedopantsubsequentlydiffuseintothesemiconductor(likeionimplantation,drivein)38、CROSSSection横截面IC的制造,基本上是由一层一层的图案聚集上去,而为了相识聚集图案的结构,以改善制程,或解决制程问题,以电子显微镜(SEM)来视察,而切割横截面,视察横截面的方式,是其中较为普遍的一种。39、低温泵将一个外貌温度降到极低,甚至结近绝对零度时,与这个外貌相接触的气体分子,将会发生相变化,而凝聚在低温外貌上,称为低温凝聚。另有一些气体虽然不能凝聚,但与低温外貌接触后,将因为外貌与分子间的凡得瓦力(VanderWaalsForce)而吸附在低温外貌上,且运动性大减,称为低温吸附,低温泵(CryogenicPump)就是使用低温凝聚和低温吸附的原理,将气体分子从容器里排挤,以到达降低容器压力的目的。

Cryopump原理:是使用吸附原理而事情:Cryopump为高真空pump,应该和低真空pump配合使用,事情前真空度应该到达10-2mbar,否则无法事情。当吸附气体饱和后,要做regen,即将高温N2通入使凝聚的气体释放而排挤pump。入口处挡片吸附水泡,内里的特殊气体吸附(成液态状)40、Curing固化当以SOG来做介电层宁静坦化的技术时,由于SOG是一种由溶剂与含有介电材质的质料,经混淆而形成的一种液态介电质料,以旋涂(Spin-onCoating)的方式涂布在芯片的外貌,必须经由热处置惩罚来趋离SOG自己所含的溶剂,称之为Curing.41、CycleTime生产周期时间指原料由投入生产线到产物于生产线产出所须的生产/制造时间。

在TI-Acer,生产周期时两种解释:一为"芯片产出周期时间"(wafer-outtime);一为"制程周期时间"(Processcycletime)"芯片产出周期时间"乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。"制程周期时间"则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间的总和,亦即每一工站均有一平均生产/制造时间,而各工站(重新至尾)平均生产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。

现在TI-AcerLineReport的生产周期时间乃探用"制程周期时间"。一般而言,生产周期时间可以下列公式概略推算之:42、CVShift使用量测MOS电晶体在差别条件下的电容-电压关系曲线,来评估MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CVShift<0.1VC-Vshift:加电压量电容:不停加电压在30℃时量取一条C-V曲线,然升温至250℃再降到30℃时再量取一条C-V曲线,发现两条C-V曲线并不会完全重合,只有当C-Vshift小于0.1V方切合尺度。

43、磁控DC溅镀机为了使离子在往金属靶外貌移动时获得足够的能量,除了提高极板间的电压外,还必须使离子在阴极暗区内所遭受的碰撞次数降低,就必须降低溅渡的压力,越低越好,以增长离子的平均自由径。这样一来,单元体积内的气体分子数降低,使得电浆里的离子浓度也降低,导致溅渡薄膜的沉积速率变慢。

44、DCPlasma直流电浆电浆是人类近代物化史上重大的发现之一,指的是一个遭受部门离子化的气体,气体内里的组成有种种带电荷的电子,离子,及不带电的分子和原子团等。电浆发生器的两金属极板上加上直流电压而发生的电浆我们称为直流电浆。45、DCSputtering直流溅镀法脱离电浆的带正电荷离子,在暗区的电场的加速下,将获得极高的能量,当离子与阴电极发生轰击之后,基于能量通报的原理,离子轰击除了会发生二次电子以外,还会把电极外貌的原子给"攻击"出来,称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering.先决条件:两个极板必须是导体,以制止带电荷粒子在电极板外貌的累积。

阴极为导电质料,称为靶(Target)46、DCSSiH2Cl247、DefectDensity缺点密度"缺点密度"系指芯片单元面积上(如每平方公分,每平方英寸等)有几多"缺点数"之意,此缺点数一般可分两大类:A.可视性缺点B不行视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来(如桥接、断线)后者则须藉助较细密电子仪器磨练(如晶格缺陷)由于芯片制造历程甚为庞大漫长,芯片上缺点数愈少,产物良率品质一定愈佳,故"缺点密度"常被用来当做一个工厂制造的产物品质优劣的指标。48、Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低,故以高温步骤使薄膜中的分子重新联合以提高其密度,此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成,但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。

49、空匮型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反,它的通道不须要任何闸极的加压(Vg)便已存在,而必须在适当的Vg下才消失。50、沉积速率Deposition Rate,表现薄膜发展快慢的参数。一般单元A/min51、DepthofWell井深顾名思义即阱的深度。

通过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子,然后通过Drivein将离子往下推所到达的深度。52、DesignRule设计规范由于半导体制程技术,系一门专业、精致又庞大的技术,容易受到差别制造设备制程方法(RECIPE)的影响,故在思量各项产物如何从事制造技术完善、乐成地制造出来时,须有一套规范来做有关技术上的划定,此即"DesignRule",其系依照种种差别产物的需求、规格,制造设备及制程方法、制程能力,各项相关电性参数规格等思量,订正了如:各制程条理、线路之间距离、线宽等的规格。

各制程条理厚度、深度等的规格。各项电性参数等规格,以供产物设计者及制程技术工程师等人遵循、参考。

53、DHFDiluteHF,一般用往复除nativeoxide,稀释的HF(DiluteHF)HF:H2O=1:5054、Die晶粒一片芯片(OR晶圆,即Wafer)上有许多相同的方形小单元,这些小单元即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是相同的结构,具有相同的功效,每个晶粒经包装后,可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC,故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地,如果因制造的疏忽而发生的缺点,往住就会波及成百成千个产物。

55、Dielectric介电质料介于导电质料之间的绝缘质料。常用的介电质料有SiO2,Si3N4等,需要的介电质料要求:1.良好的stepcoverage,2.低介电常数,3.高瓦解电压,4.低应力,5.平坦性好。介电质料的性质:良好的Stepcoverage、低介电常数、平坦性。理想掩护层的性质沉积匀称、抗裂能力、低针孔密度、能反抗水气及碱金属离子的穿透,硬度佳。

主要介电材质:SiO2PSG与BPSGSi3N456、DielectricConstant介电常数介电常数是表征电容性能的一重要参数,越小越好,它与导电性能成反比。57、Diffusion扩散在一杯很纯的水上点一滴红墨水,不久后可发现水外貌颜色徐徐淡去,而水面下徐徐染红,但颜色是愈来愈淡,这即是扩散的一例。

在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢许多(约数亿年),故以进炉管加高温的方式,使扩散在数小时内完成58、扩散系数扩散系数(DiffusionCoefficient)是形貌杂质在晶体中扩散快慢的一个参数。

这与扩散条件下的温度,压强,浓度成正比。D=D0exp(-Ea/KT)D0是外插至无限大温度所得的扩散系数(cm2/s)Ea是活化能(ev)在低浓度时,扩散系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关59、扩散炉在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢许多(约数亿年),故以进炉管加高温的方式,使扩散在数小时内完成。

这样的炉管就叫做扩散炉(DiffusionFurnace)。60、扩散式泵通过加热油,油气蒸发高速喷射出去,带出气体分子,到达抽气的目的。它可以到达10-5Torr.61、Dimple凹痕外貌上轻微的下陷或凹陷。

62、DIWater去离子水IC制造历程中,常需要用酸碱溶液来蚀刻,清洗芯片。这些步骤之后,又须使用水把芯片外貌残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。

然而IC工业用水,并不是一般的自来水,而是自来水或地下水经由一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中,含有大量的细菌,金属离子及Particle,经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后,即可把金属离子等杂质去除,所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造的用。

63、Donor施体我们将使原本本征的半导体发生多余电子的杂质,称为施体。如掺入p的情况。64、Dopant掺杂在原本本征的半导体里主动的植入或通过扩散的方法将其它的原子或离子掺入进去,到达改变其电性能的方法。

如离子植入。65、DopantDrivein杂质的赶入我们离子植入后,一般植入的离子漫衍达不到我们的要求,我们通过进炉管加高温的方式将离子举行扩散,以到达我们对离子漫衍的要求,同时对离子植入造成的缺陷举行修复。

66、掺杂源我们将通过扩散的方法举行掺杂的物资叫掺杂源,例如将Poly里掺入P的POCl3我们将其叫掺杂源(DopantSource)。67、掺入杂质为使组件运作,芯片必须掺以杂质()Doping),一般常用的有:预置:在炉管内通以饱和的杂质蒸气,使芯片外貌有一高浓度的杂质层,然后以高温使杂质驱入,扩散;或使用沉积时同时举行预置。

离子植入:先使杂质游离,然后加速植入芯片。68、Dosage剂量表现离子数的一个参数。69、DRAM,SRAM动态,静态随机存取内存随机存取影象器可分动态及静态两种,主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM),在一段时间(一般是0.5ms~5ms)后,数据会消失,故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh),此为其最大缺点,此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大利益为,其每一影象单元(bit)只需一个Transistor(晶体管)+一个Capacitor(电容器),故最省面积,而有最高的密度。

而SRAM则有不需重写、速度快的优点,可是密度低,其每一影象单元(bit)有两类:需要六个Transistor(晶体管)四个Transistor(晶体管)+两个Loadresistor(负载电阻)。由于上述它优缺点,DRAM一般皆用在PC(小我私家盘算机)或其它不需高速且影象容量大的影象器,而SRAM则用于高速的中大型盘算机或其它只需小影象容量,如:监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周控制或工业控制上。70、汲极通过掺杂,使其电性与底材P-Si相反的,我们将其称为汲极(Drain)与源极。

71、DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较准确地选择杂质数量,但受限于离子能量,无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域,因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质,在相当高的温度去举行,一方面将杂质扩散到较深的区域,且使杂质原子占据硅原子位置,发生所要的电性,另外也可将植入时发生的缺陷消除。此方法称的驱入。此法不再加入半导体杂质总量,只将外貌的杂质往半导体内更深入的推进。在驱入时,常通入一些氧气﹒因为硅氧化时,会发生一些缺陷,如空洞(Vacancy),这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。

另外,由于驱入是藉原子的扩散,因此其偏向性是各方均等,甚至有可能从芯片逸出(out-diffusion),这是需要注意的72、DryOxidation干式氧化在通入的气体中只有氧气与载气,只有氧气与底材发生氧化反映。我们将这种氧化叫干式氧化。

如我们的Gate-OX,这种方法生成的SiO2质量比力好,但生成速度比力慢。73、DrypumpDrypump是最基本的真空pump,它是使用螺杆原理来事情的,它主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气,所以可以单独使用。一般真空度要求不高(E-3torr以下)如CVD及furnace仅使用drypump即可。特点:Fewermovingparts、HigherReliability、Lesscomplexity、HighspeedDrypump用在chamber由大气压下直接抽真空,可以维持收支口压差105倍;Drypump有电源(电源使马达动员螺杆式转子转动);有N2purge(稀释防止particle沉积在间隙内);Collingwater(防止温渡过高使pump无法运转);74、DummyWafer挡片对制程起一定辅助作用的硅片,区别于产物、控片,一般对其质量要求不是很高。

由于炉管的两头温度不稳定,气体的流量不稳定,所以我们在Boat的两头放入不是产物的硅片,我们将这样的硅片叫挡片。离子植入若产物不足,则需补上非产物的硅片,即挡片。74、电子/电洞电子是组成原子的带电粒子,带有一单元的负电荷,围绕在原子核四周,形成原子。电洞是晶体中,在原子核间的共享电子,因受热滋扰或杂质原子取代,电子脱离原有的位置所遗留下来的"空缺"因缺少一个电子,无法维持电中性,可视为带有一单元的正电荷。

76、电瓦解当NMOS的沟道缩短,沟道靠近汲极地域的载子将倍增,这些因载子倍增所发生的电子,通常吸往汲极,而增加汲极电流的巨细,部门电子则足以射入闸氧化层里,而发生的电洞,将流往低材,而发生底材电流;另一部门的电洞则被源极收集,使npn现象增强,热电子的数量增加,足使更多的载子倍增,当凌驾闸极氧化层的蒙受能力时,就击穿闸氧化层,我们将这种现象叫电瓦解(ElectricalBreakdown)。77、电子迁移所谓电子迁移(Electromigration),乃指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。

当组件尺寸愈缩小时,相对地电流密度则愈来愈大;当此大电流经由集成电路中的薄金属层时,某些地方的金属离子会聚集起来,而某些地方则有金属空缺情形,如此一来,聚集金属会使相近的导体短路,而金属空缺则会引起断路。质料搬动主要原动力为晶界扩散。以溅镀法所沉积的Al,经由适当的Anneal之后,通常是以多晶(Poly-Crystalline)形式存在,当导电时,因为电场的影响,Al原子将沿着晶粒界面(Grain-Boundary)移动。

有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力,例如:加入抗电移能力较强的金属,如Cu。78、椭圆测厚仪将已知波长的入射光分成线性偏极或圆偏极,照射2003-7-17在待射芯片,使用所得的差别椭圆偏极光的强度讯号,以Fourier分析及Fresnel方程式,求得待测芯片膜厚与折射率的仪器,称为椭圆测厚仪(Ellipsometer)。简朴的结构如下图所示:79、电子迁移可靠度测试EM(ElectronMigrationTest)电子迁移可靠度测试,当电流经由金属导线,使金属原子获得能量,沿区块界限(GrainBoundaries)扩散(Diffusion),使金属线发生空洞(Void),甚至断裂,形成失效。

其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出:AF=[J(stress)/J(op)]n×exp[Ea/Kb(1/T(top)-1/T(stress))]TF=AF×T(stress)80、能量能量是物理学的专有名词。如下图,B比A的电压正l00伏,若在A板上有一电子受B板正电吸引而加速跑到B板,这时电子在B板就比在A板多了100电子伏特的能量。

81、增强型EnhanceMOS|Vg|>|Vt|时,处于"开(ON)"的状态,且当|Vg|<|Vt|时,电晶体则在"关(OFF)"的状态。它的通道必须在闸极处于适当的电压下时才会形成。82、EPIWAFER磊晶芯片磊晶系在晶体外貌发展一层晶体。

83、Epitaxy磊晶外延附生:一种矿物的结晶附于另一矿物结晶外貌的生长,这样两种矿物的结晶下层就会有同样的结构泉源。84、EPROMEPROM(Erasable-ProgrammableROM)电子可法式只读存储器,MASKROM内所存的数据是在FAB内制造历程中便已设定好,制造完后便无法改变。就像任天堂游戏卡内的MASKROM,存的是金牌玛丽,就无法酿成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特殊结构叫AFAMDS,它可使ROM内的数据生存。

但常紫外光照到它时,它会使ROM内的数据消失,每一个影象单元都归零。然后工程人员再依法式的规范,用30伏左右的电压将0101…数据灌入每一影象单元。如此就可灌电压,照紫光,重复使用,存入差别的数据。也就是说如果任天堂游戏卡内使用的是EPROM,那么您打腻了金牌玛丽,就把卡匣照紫光,然后灌双截龙的法式进去。

卡匣就酿成双截龙卡,不用去交流店交流了。85、静电破坏/静电放电自然界的物质均由原子组成,而原子又由质子、中子及电子组成,在平常状态下,物质呈中性,而在日常运动中,会使物质失去电子,或获得电子﹒此即发生一静电,获得电子的物质为带负静电,失去电子即带正静电。静电巨细会随着日常的事情情况而有所差别,如下表所示。

表l日常事情所发生的静电强度表2.当物质发生静电后,随时会放电,若放到电子组件上,例如IC,则会将组件破坏而使不能正常事情,此即为静电破坏(ElectrostaticDamage)或静电放电(ElectrostaticDischarge)。3.防止静电破坏方法有:在组件设计上加上静电掩护电路。

在事情情况上淘汰静电。例如事情桌的接地线,测试员的静电环,在运送上使用防静电胶套及海绵等等。

86、ETCH蚀刻在集成电路的制程中,经常需要将整个电路图案界说出来,其制造法式通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜,再使用微影技术在这层薄膜上,以光阻界说出所欲制造的电路图案,再使用化学或物理方式将不需要的部份去除,此种去除步骤,便称为蚀刻(ETCH)。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH),及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是使用化学品(通常是酸液)与所欲蚀刻的薄膜,起化学反映,发生气体或可溶性,生成物,到达图案界说的目的。

而所谓干蚀刻,则是使用干蚀刻机台发生电浆将所欲蚀刻的薄膜,反映发生气体,由PUMP抽走到达图案定表的目的。87、蒸镀将我们的蒸镀源放在坩埚里加热,当温度升高到靠近蒸镀源的熔点四周。

这时,原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强,使用这些被蒸发出来的蒸镀源原子,我们在其上方不远处的芯片外貌上,举行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀(Evaporation)。88、曝光其意表略同于照相机底片的感光在基集成电路的制造历程中,界说出精致的光阻图形为其中重要的步骤,以运用最广的5XStepper为例,其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片,光罩上则有我们所设计的种种图形,以特殊波长的光线(G-LINE436NM)照射光罩后,经由缩小镜片(ReductionLens)光罩上的图形则呈5倍缩小后,准确地界说在底片上(芯片上的光阻膜)经由显影后,即可将照到光(正光阻)的光阻显掉,而获得我们想要的种种精致图形,以作为蚀刻或离子植入用。

因光阻对于某特定波长的光线特别敏感,故在黄光室中,找将一切照明用光源过滤成黄色,以制止泛白光源中含有对光阻有感光能力的波长成份在,这一点各相关人员应特别注意,否则会发生光线污染现象,而扰乱精致的光阻图形。89、萃取电极Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc反映室中的离子以电压萃取出来的两个电极板。由电子抑制极板(Suppression Electrode) 和接地极板(Ground Electrode)两部门组成。

90、Fab晶圆厂Fabrication为"装配"或"制造"之意,与Manufacture意思一样。半导体制造法式,其步骤繁多,且制程庞大,需要有很是细密的设备和细心的作业,才气到达无缺点的品质。

FAB系Fabrication的缩写,指的是"工厂"之意。我们常称FAB为"晶圆区",例如:进去"FAB"之前须穿上防尘衣。91、法拉第杯法拉第杯(FaradayCup),是离子植入机中在植入前用来丈量离子束电流的装置。92、FieldOxide场氧化层FieldOxide场氧化层,Field直译的意思是"场"。

如运动场,足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。在IC内部结构中,有一区域是隔离电场的地方,通常介于两个MOS晶体管之间,称为场区。

场区之上大部份会长一层厚的氧化层。93、Filament灯丝在离子植入机的离子源反映室里用来发生电子以解离气体用。通常接纳钨、钽及钼等高温金属。

使用直流电的加热,使灯丝外貌释放出所谓"热离化电子"。94、Filtration过滤用过滤器(FILTER,为一半透明膜折迭而成)将液体或气体中的杂质给过滤掉,此称为Filtration(过滤)故IC制造业对清洁度的要求是很是的严,故种种使用的液体或气体(包罗大气)必须借着过滤以到达清洁的要求。待过滤的液体及气体能经由过滤器且乐成地将杂质挡下,必须借着一个pump制造压差来完成,如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。

95、牢固氧化层电荷牢固氧化层电荷(FixedOxideCharge)位于离Si-SiO2接口30?的氧化层内,通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅外貌偏向有关。96、客户委托加工客户委托加工(Foundry)主要是接受客户委托,生产客户自有权利的产物,也就是客户提供光罩,由联华来生产制造,在将制品出售给客户,只收取代工用度,这种纯粹代工,不涉及销售的方式在国际间较通常的称谓就叫硅代工(SiliconFoundry)。

97、四点测针四点测针(FourPointProbe)是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。其原理如下:上图ABCD四针,A、D间通以电流I,B、C两针量取电压差(ΔV),则:Rs=K.ΔV/IK是比例常数,和机台及针尖距离有关98、FTIRFTIR(傅氏转换红外线光谱分析仪)乃使用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。己生长成熟,可Routine应用者,计有:BPSG/PSG的含磷、含硼量预测。

芯片的含氧、含碳量预测磊晶的厚怀抱测生长中需进一步Setup者有:.氮化硅中氢含量预测复晶硅中含氧量预测光阻特性分析FTIR为一极便利的分析仪器,STD的建设为整个量测的重点,由于其中多使用光学原理,芯片状况(i.e.晶背处置惩罚状况)对量测效果影响至巨99、气体储柜气体储柜(GasCabinet),储存气体钢瓶的柜子,一般是处于负压状态,防止气体泄露到外部。100、Gate闸极文章泉源:药芯研究所。


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